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自动驾驶系统等安全关键(safety-critical)应用通过冗余设计来确保可靠性,因此与标准系统相比,其集成的器件数量更多,需要的贴装空间更大。因此,随着车载设备尺寸的不断缩小,需要能够以高电流密度贴装功率MOSFET。
XPJR6604PB和XPJ1R004PB采用了Toshiba的新型S-TOGL™封装(7.0mm×8.44mm[1]),利用无接线柱结构将源极连接件和外部引脚一体化。源极引脚采用多针结构,从而降低了封装电阻。
通过将S-TOGL™封装与Toshiba的U-MOS IX-H工艺结合,与Toshiba的TO-220SM (W)封装产品相比,导通电阻大幅下降了11%[2],同时保持了相同的热阻特征。此外与TO-220SM (W)封装相比,新封装需要的贴装面积也减少了大约55%。除此之外,新封装的漏极额定电流为200A,高于类似大小的Toshiba DPAK +封装(6.5mm×9.5mm[1]),从而提供大工作电流。总之,S-TOGL™封装不仅实现了高密度和紧凑的布局,降低了车载设备的大小,同时也有利于实现高散热。
由于车载设备可能在极端温度环境中使用,表面贴装焊点的可靠性是一个需要考虑的关键因素。S-TOGL™封装采用的鸥翼式引脚可降低贴装应力,提高焊点可靠性。
当需要并联多个器件为应用提供更大工作电流时,Toshiba支持这两款新品分组出货[3],即按栅极阈值电压对产品分组。这样可以确保设计使用同一组别的产品,从而减少特性偏差。
Toshiba将不断扩展其功率半导体产品的阵容,以对用户更友好的高性能功率器件,促进碳中和目标的实现。
应用
特性
	XPJR6604PB: ID=200A
	XPJ1R004PB: ID=160A
	XPJR6604PB: RDS(ON)=0.53m(典型值)(VGS=10V)
	XPJ1R004PB: RDS(ON)=0.8m(典型值)(VGS=10V)
注:
	[1] 典型封装尺寸,含引脚。
	[2] 采用TO-220SM(W)封装的TKR74F04PB。
	[3] Toshiba提供分组出货,每卷产品的栅极阈值电压浮动范围为0.4V,但是不允许指定特定组别。请联系Toshiba销售代表了解更多详情。
	[4] 请联系Toshiba销售代表了解更多详情。
主要规格
| 				 
  | 							 新产品  | 							 当前产品  | 		|||||
| 				 器件型号  | 							 XPJR6604PB  | 							 XPJ1R004PB  | 							 TKR74F04PB  | 							 TK1R4S04PB  | 		|||
| 				 极性  | 							 N沟道  | 		||||||
| 				 系列  | 							 U-MOS IX-H  | 		||||||
| 				 封装  | 							 名称  | 							 S-TOGL™  | 							 TO-220SM(W)  | 							 DPAK+  | 		|||
| 				 尺寸(mm)  | 							 典型值  | 							 7.0×8.44, t=2.3  | 							 10.0×13.0, t=3.5  | 							 6.5×9.5, t=2.3  | 		|||
| 				 绝对最大额定值  | 							 漏极-源极电压DSS(V)  | 							 40  | 		|||||
| 				 漏极电流(DC) ID(A)  | 							 200  | 							 160  | 							 250  | 							 120  | 		|||
| 				 漏极电流(脉冲)IDP(A)  | 							 600  | 							 480  | 							 750  | 							 240  | 		|||
| 				 沟道温度Tch(°C)  | 							 175  | 		||||||
| 				 电气特性  | 							 漏极-源极导通电阻 RDS(ON)(mΩ)  | 							 VGS=10V  | 							 最大值  | 							 0.66  | 							 1.0  | 							 0.74  | 							 1.35  | 		
| 				 沟道到外壳热阻 Zth(ch-c)(°C/W)  | 							 Tc=25°C  | 							 最大值  | 							 0.4  | 							 0.67  | 							 0.4  | 							 0.83  | 		|
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	公司在全球拥有21,500名员工,以实现产品价值最大化为己任,与客户紧密合作,共同创造价值、开拓新市场。Toshiba Electronic Devices & Storage Corporaion年销售收入近8000亿日元(61亿美元),立志为全人类创造更加美好的未来。
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Toshiba:采用新型封装的车载40V N沟道功率MOSFET,支持车载设备对高散热和小尺寸的需求。(图示:美国商业资讯)